MBR4045WT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
Componentes electrónicos
SBR20U50SLP-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 520 MV @ 20 A
BAT54DW-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 125°C
VFT1080S-E3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 600 µA @ 80 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 810 MV @ 10 A
12CWQ06FN · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
12CWQ04FN · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SBRT10U50SP5-13D · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 300 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 10 A
MBR1535CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 7.5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
S2M · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 2 A
BAT54ADW-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 125°C
STTH8S06B-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 3.4 V @ 8 A
72CPQ030 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 35A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
ES2FAHR3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 2 A
10CTQ150S · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
TUAS8J · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 8 A
BAV99DW-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
CMR3-06 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 3 A
CMSH2-60M · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 2 A