203CNQ080 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
Componentes electrónicos
V20PWM60HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1.2 MA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 20 A
VB30100SG-E3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 350 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 30 A
25CTQ045S · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
S4B · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 4 A
HFA240NJ40D · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 244A (DC)
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 240 A
16CTQ080S · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
FFPF10UP20STU · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 10 A
SS35 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 750 MV @ 3 A
201CNQ040 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
V15P22-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 350 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 910 MV @ 15 A
VSKD600-16 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 600A
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.24 V @ 1800 A
RFV5BM6STL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.8 V @ 5 A
HFA80NC40CSL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 85A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
FES8AT-E3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 8 A
200CNQ045 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
12CTQ045S · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
PMEG050V150EPDAZ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 15 A