1N3881R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 15 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.4 V @ 20 A
Componentes electrónicos
12CTQ045 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
VS-15EVL06-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.35 V @ 15 A
10CTQ150STRL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
JAN1N5806URS/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 1 A
MBR4045CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
NRTS15100PFST3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 810 MV @ 15 A
HFA75MC40C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 75A (DC)
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 75 A
JANTX1N6624/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 990 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.55 V @ 1 A
MURB1020CT-1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 990 MV @ 5 A
RSX058BGE2STL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 NA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 870 MV @ 3 A
MURB2020CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
1N5821US/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 3 A
HFA16PA120C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RGP30J-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 3 A
25CTQ040 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
JAN1N5711UR-1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 NA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 15 MA
MBRB2090CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C