B350B-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 3 A
Componentes electrónicos
BAW56WT1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
VS-3EMU06-M3/5AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 3 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 3 A
NSDEMN11XV6T5 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
VS-150K40A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 35 MA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.33 V @ 471 A
STTA3006CW · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
B340LB-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 MA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 3 A
20CTH03 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
VS-150U100D · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 15 MA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.47 V @ 600 A
MBD54DWT1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT)
RR1LAM4STR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
VS-85HFL60S05 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.75 V @ 266.9 A
30CTH02STRR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
MMBD717LT1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT)
US1GWF-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 1 A
20CTH03STRL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
VS-70HFL80S05 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.85 V @ 219.8 A
DAP202UT106 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)