RB531VM-30TE-17 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 45 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 490 MV @ 100 MA
Componentes electrónicos
PMEG3005EB · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 500 MA
SBLB1640CT-E3/81 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 125°C
SBR160S23-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 530 MV @ 750 MA
UGB10CCTHE3/81 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
MBR0530T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 130 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 430 MV @ 500 MA
MBRB20H100CTHE3/81 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
SBR1U200P1-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 820 MV @ 1 A
UGB8HCTHE3/81 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 4A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MBRB30H50CT-E3/81 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
SL03-GS08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 130 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 430 MV @ 1.1 A
BAS16WS-HE3-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
MBRB2045CTHE3/81 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
1PS10SB82 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 NA @ 1 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 30 MA
UB16DCT-E3/8W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
ES07B-GS08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 980 MV @ 1 A
UGB18CCT-E3/81 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 18A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
CMDSH05-4 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 470 MV @ 500 MA