RB050LAM-60TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 560 MV @ 3 A
Componentes electrónicos
FEP16GTHE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
CD1408-FU1400 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Bourns Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 1 A
BYQ28E-150HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
S215FA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 2 A
UGB8JCTHE3/81 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 4A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
CRH01(TE85L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 980 MV @ 1 A
FEPF6BT-E3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RB050LAM-40TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 3 A
FEP16BTHE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MURS120T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 1 A
VSSA210-E3/61T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 2 A
FEPF16DT-E3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
CMOD2004 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 240 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
UGB18DCTHE3_A/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 18A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
UH4PCC-M3/86A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 2A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
EGP10D · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 1 A
BYT28-400HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C