MCL101C-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 NA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 900 MV @ 15 MA
Componentes electrónicos
UGB10FCT-E3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
1N914TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 10 MA
UG10GCTHE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
CMSH1-200HE · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 900 MV @ 1 A
UGF8JCTHE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 4A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
U10BCT-E3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MSE07PGHM3/89A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.08 V @ 700 MA
UGB10CCT-E3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
1N6864US · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 80 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 3 A
UG10DCTHE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
STTH3R02QRL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 3 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 3 A
UGF18DCTHE3_A/P · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 18A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
NRVA4003T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
SBLF25L20CTHE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 12.5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
406DMQ200 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 MA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 990 MV @ 200 A
RB058LAM-40TFTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 690 MV @ 3 A
UG8JCT-E3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 4A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C