RB520SM-30T2R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 10 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 580 MV @ 200 MA
Componentes electrónicos
MBR50060CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SBR2M100SAF-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 780 MV @ 2 A
MBR50060CTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RB500V-40 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 10 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 10 MA
VS-12CWQ10FNPBF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
VS-E5TH1512-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.5 V @ 15 A
VS-MURB1020CTTRRP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
SD103BWSQ-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 200 MA
MBR50045CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
PMEG4010ESBYL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 40 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 610 MV @ 1 A
MBR50040CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAS116UDJ-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
VS-ETL1506S-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 15 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.07 V @ 15 A
VS-MBRD660CTTRLPBF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
SMBT1565LT1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
MBR50035CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
PMEG3005EL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 500 MA