SUR81620CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
Componentes electrónicos
V20100CHM3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
VS-85CNQ015ASLPBF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 40A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
SE20AFD-M3/6A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A
UGE10DCT-E3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
SS24S-M3/5AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 2 A
MBRAD8200H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 8 A
VS-82CNQ030ASMPBF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 40A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
V12WM100C-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
V3FM12-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 120 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 940 MV @ 3 A
RS1MLWHRVG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
BAW74-D87Z · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
V15WL45C-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 7.5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
SSB43LHE3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 490 MV @ 4 A
VS-81CNQ040ASLPBF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 40A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
CMOD4448 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 25 NA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
MBRB30H90CTHE3/81 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
RR1VWM6STR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 1 A