RBQ30NS45BFHTL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 350 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 590 MV @ 30 A
Componentes electrónicos
VT6045CHM3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
VS-MBRB2080CTGTRLP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
BYM13-30-E3/96 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 1 A
VS-30CTT100 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 175°C (Max)
UF4005 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 1 A
DTH8R06FP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 30 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.9 V @ 8 A
VS-40CTQ045-N3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
VS-30CTQ100G-1PBF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 175°C (Max)
SDT8A120P5-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 300 µA @ 120 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 840 MV @ 8 A
VS-MBRB20100CTGTLP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
BAT54E6327HTSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 100 MA
VT3060GHM3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
ES1GLW · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
VS-32CTQ025-N3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
VS-10ETF12STRL-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.33 V @ 10 A
VS-43CTQ100GSTRLP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 175°C (Max)
1N914 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 10 MA