BYC10-600 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- WeEn Semiconductors
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.9 V @ 10 A
Componentes electrónicos
MBRT30030L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SBR02M30LP-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 610 MV @ 200 MA
SBRT30U45CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1N5811US/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 4 A
MBRF200200 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
VS-10TQ045-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 MA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 670 MV @ 20 A
MBRT120150 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1PS70SB82 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 NA @ 1 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 30 MA
MBR2045CT-G1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1N4248US/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Encapsulado / carcasa
- Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT)
MBRF200100R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
VS-15ETH06-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.2 V @ 15 A
CMLD6001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
SS110L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 1 A
MBR60040CTL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1N5551US · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 9 A
MBRF12030R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C