NTE6068 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 MA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 20 MA
Componentes electrónicos
MBRF200150R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
DFLS130-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 420 MV @ 1 A
MBRTA500200R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
C6D10170H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Wolfspeed, Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 18 µA @ 1700 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 10 A
MBRTA60080R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1N6073US/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.04 V @ 9.4 A
MBRF12080R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
B340A-M3/5AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 3 A
MBRF60045 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 175°C
FFSH5065A-F155 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 650 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
MBRTA40045L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
NTE5844 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 12 MA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.23 V @ 63 A
MBRF12035R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
PMEG10020AELPX · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 300 NA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 770 MV @ 2 A
MBRF60035 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 175°C
IDH16G120C5XKSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.95 V @ 16 A
MBRTA40035L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C