BAS29 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 90 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 200 MA
Componentes electrónicos
SBR2045CTFP-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
AS1FJHM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 1.5 A
UHB20FCT-E3/8W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
1N457TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 25 NA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 20 MA
SBR30A45CTFP-JT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
S1G-M3/61T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
SBR20A100CTFP-JT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
VS-2ENH01HM3/84A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 2 A
MBR1635-1HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 35 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
RB511VM-40FHTE-17 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 25 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 410 MV @ 10 MA
BAV99W/MIF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
BAS116QAZ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 NA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
CDST-21S-HF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Comchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
V2N103HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 670 MV @ 2 A
FES16CT-23HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 150 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
BAS20W-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
FR1J-LTP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -50°C ~ 150°C