B0540WQ-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 510 MV @ 500 MA
Componentes electrónicos
UGB15HT-E3/81 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 30 µA @ 500 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
V3NM103-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 120 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 690 MV @ 3 A
MBR6035PT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAV102 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
SBT60100CT_T0_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MBR18AFC_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 80 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 1 A
FESE16AT-E3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 50 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
ES1DAL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 1 A
MURHB840CTG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 4A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
S1MLS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1.2 A
SBR10150CTFP-JT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
BAT43WS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 200 MA
UGF10L08GA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MB210_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 2 A
TRS20N65FB · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 175°C (Max)
PMEG4005EGWX · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 470 MV @ 500 MA
BAS581-02V-HG3-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 370 MV @ 1 MA