BAT54S · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Encapsulado / carcasa
- A granel
Componentes electrónicos
SS24FL-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 2 A
BAS40-06-7-F-79 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
SE10FD-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 1 A
BAV23 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Encapsulado / carcasa
- A granel
S3G_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 3 A
SF1007GH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SMD14PE-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 520 MV @ 1 A
SBR30150CTFP-JT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
DAN217FHT146 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 70 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 100 MA
BAV99/8 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
CRS20I30B(TE85L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 2 A
SF802GH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
S1BHE3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
BAV170/ZLR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
PMEG200G20ELR-QX · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 30 NA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 880 MV @ 2 A
BAT54CW/6/ZLX · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
RS1K-M3/61T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A