VS-3C12ET07S2L-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 65 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 12 A
Componentes electrónicos
SK520C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 300 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 5 A
BA8391G-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- ROHM Semiconductor
- Embalaje
- Bobina
MPG06J-E3/53 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
MAX931CSA+T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Maxim Integrated
- Corriente de alimentación
- 3.2 UA
- Temperatura mínima de funcionamiento
- 0 C
VS-EPX6007L-N3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 30 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.5 V @ 60 A
LM193H/NOPB · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Texas Instruments
- Corriente de alimentación
- 500 UA
- Corriente de polarización de entrada
- 100 NA
PSDH3060S1_T0_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 250 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.3 V @ 30 A
AD790JRZ-REEL7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Analog Devices
- Tiempo de respuesta
- 45 Ns
- Corriente de polarización de entrada
- 5 UA
VS-4EVH01-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 3 µA @ 100 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
ESH1C-E3/61T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 900 MV @ 1 A
VS-4EVH02-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 3 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 4 A
WNSC6D20650B6J · Componentes electrónicos
- Fabricante
- WeEn Semiconductors
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 80 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.55 V @ 20 A
BYM12-100-E3/97 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 1 A
MUR360M_AY_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 3 A
SS10PH45HM3_A/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 80 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 720 MV @ 10 A
LM2901VQPWR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Texas Instruments
- Corriente de alimentación
- 2 MA
- Corriente de polarización de entrada
- 250 NA