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123NQ080R-1
123NQ080R-1 · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- SMC Diode Solutions
- Número de parte:
- 123NQ080R-1
- Corriente de fuga inversa a Vr:
- 3 MA @ 80 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If:
- 910 MV @ 120 A
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Semiconductores discretos · diodos rectificadores simples |
| Fabricante | SMC Diode Solutions |
| Referencia base | 123NQ |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente de fuga inversa a Vr | 3 MA @ 80 V |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 910 MV @ 120 A |
| Capacitancia a Vr, F | 2650pF @ 5V, 1MHz |
| Tecnología | Schottky |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | -55°C ~ 175°C |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 80 V |
| Corriente rectificada media (Io) | 120A |
| Velocidad | Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje en chasis |
| Encapsulado / carcasa | A granel |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 1
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| Supplier Device Package | PRM1-1 (Half Pak Module) |
|---|
Descripción
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Componentes seleccionados
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial