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S12D
S12D · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Número de parte:
- S12D
- Corriente de fuga inversa a Vr:
- 10 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If:
- 1.1 V @ 12 A
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Semiconductores discretos · diodos rectificadores simples |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente de fuga inversa a Vr | 10 µA @ 50 V |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 1.1 V @ 12 A |
| Tecnología | Estándar |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | -65°C ~ 175°C |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 200 V |
| Corriente rectificada media (Io) | 12A |
| Velocidad | Recuperación estándar >500ns, > 200mA (Io) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje en chasis con espárrago |
| Encapsulado del fabricante | DO-4 |
| Encapsulado / carcasa | A granel |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial