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VB20120S-E3/4W
VB20120S-E3/4W · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Número de parte:
- VB20120S-E3/4W
- Corriente de fuga inversa a Vr:
- 300 µA @ 120 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If:
- 1.12 V @ 20 A
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Semiconductores discretos · diodos rectificadores simples |
| Serie | TMBS® |
| Fabricante | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Referencia base | VB20120 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente de fuga inversa a Vr | 300 µA @ 120 V |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 1.12 V @ 20 A |
| Tecnología | Schottky |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | -40°C ~ 150°C |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 120 V |
| Corriente rectificada media (Io) | 20A |
| Velocidad | Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Encapsulado del fabricante | –-263AB (D²PAK) |
| Encapsulado / carcasa | Tubo |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial