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GD02MPS12E
GD02MPS12E · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Número de parte:
- GD02MPS12E
- Corriente de fuga inversa a Vr:
- 5 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If:
- 1.8 V @ 2 A
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Semiconductores discretos · diodos rectificadores simples |
| Serie | SiC Schottky MPS™ |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente de fuga inversa a Vr | 5 µA @ 1200 V |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 1.8 V @ 2 A |
| Capacitancia a Vr, F | 73pF @ 1V, 1MHz |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 Ns |
| Tecnología | Schottky de SiC (carburo de silicio) |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | -55°C ~ 175°C |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 1200 V |
| Corriente rectificada media (Io) | 8A |
| Velocidad | Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Encapsulado del fabricante | –-252-2 |
| Encapsulado / carcasa | Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial