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SA2M-M3/5AT
SA2M-M3/5AT · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Número de parte:
- SA2M-M3/5AT
- Corriente de fuga inversa a Vr:
- 3 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If:
- 1.1 V @ 2 A
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Semiconductores discretos · diodos rectificadores simples |
| Fabricante | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Referencia base | SA2 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente de fuga inversa a Vr | 3 µA @ 1000 V |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 1.1 V @ 2 A |
| Capacitancia a Vr, F | 11pF @ 4V, 1MHz |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 1.5 µs |
| Tecnología | Estándar |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | -55°C ~ 150°C |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 1000 V |
| Corriente rectificada media (Io) | 2A |
| Velocidad | Recuperación estándar >500ns, > 200mA (Io) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Encapsulado del fabricante | DO-214AC (SMA) |
| Encapsulado / carcasa | Cinta y carrete (TR) |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
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Componentes seleccionados
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial