Productos
SMMBD770T1G
SMMBD770T1G · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- Onsemi
- Número de parte:
- SMMBD770T1G
- Capacitancia a Vr, F:
- 1pF @ 20V, 1MHz
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 125°C (TJ)
Solicitar cotización
El precio, la disponibilidad y la entrega se confirman en la cotización.
Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Diodos Diodos de RF |
| Fabricante | Onsemi |
| Referencia base | SMMBD770 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Capacitancia a Vr, F | 1pF @ 20V, 1MHz |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Encapsulado del fabricante | SC-70-3 (SOT323) |
| Encapsulado / carcasa | Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 4
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Current - Max | 200 MA |
|---|---|
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 70V |
| Power Dissipation (Max) | 120 MW |
| Diode Type | Schottky - Single |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
Solicitar cotización
Componentes seleccionados
Todos los productos
XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial