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IDH08G65C6XKSA1
IDH08G65C6XKSA1 · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Número de parte:
- IDH08G65C6XKSA1
- Corriente de fuga inversa a Vr:
- 27 µA @ 420 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If:
- 1.35 V @ 8 A
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Semiconductores discretos · diodos rectificadores simples |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Referencia base | IDH08G65 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente de fuga inversa a Vr | 27 µA @ 420 V |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 1.35 V @ 8 A |
| Capacitancia a Vr, F | 401pF @ 1V, 1MHz |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 Ns |
| Tecnología | Schottky de SiC (carburo de silicio) |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | -55°C ~ 175°C |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 650 V |
| Corriente rectificada media (Io) | 20A |
| Velocidad | Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje pasante |
| Encapsulado del fabricante | PG-TO220-2 |
| Encapsulado / carcasa | Tubo |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial