Productos
VS-3C04ET07S2L-M3
VS-3C04ET07S2L-M3 · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Número de parte:
- VS-3C04ET07S2L-M3
- Corriente de fuga inversa a Vr:
- 25 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If:
- 1.5 V @ 4 A
Solicitar cotización
El precio, la disponibilidad y la entrega se confirman en la cotización.
Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Semiconductores discretos · diodos rectificadores simples |
| Fabricante | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente de fuga inversa a Vr | 25 µA @ 650 V |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 1.5 V @ 4 A |
| Capacitancia a Vr, F | 175pF @ 1V, 1MHz |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 Ns |
| Tecnología | Schottky de SiC (carburo de silicio) |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | -55°C ~ 175°C |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 650 V |
| Corriente rectificada media (Io) | 4A |
| Velocidad | Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Encapsulado del fabricante | –-263AB (D²PAK) |
| Encapsulado / carcasa | Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
Solicitar cotización
Componentes seleccionados
Todos los productos
XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial