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BAS321/8F
BAS321/8F · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Número de parte:
- BAS321/8F
- Corriente de fuga inversa a Vr:
- 100 NA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If:
- 1.25 V @ 200 MA
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Semiconductores discretos · diodos rectificadores simples |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. |
| Referencia base | BAS321 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente de fuga inversa a Vr | 100 NA @ 200 V |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 1.25 V @ 200 MA |
| Capacitancia a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50 Ns |
| Tecnología | Estándar |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | 150°C (Max) |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 200 V |
| Corriente rectificada media (Io) | 250mA |
| Velocidad | Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Encapsulado del fabricante | SOD-323 |
| Encapsulado / carcasa | Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial