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BYV32E-150
BYV32E-150 · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Número de parte:
- BYV32E-150
- Corriente rectificada media (Io) / diodo:
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión:
- 150°C (Max)
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Diodos Rectificadores Matrices de diodos |
| Fabricante | NXP USA Inc. |
| Referencia base | BYV32 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente rectificada media (Io) / diodo | 20A |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | 150°C (Max) |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 1.15 V @ 20 A |
| Configuración de diodos | 1 par de cátodo común |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 25 Ns |
| Tecnología | Estándar |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 150 V |
| Velocidad | Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Corriente de fuga inversa a Vr | 30 µA @ 150 V |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Encapsulado del fabricante | –-220AB |
| Encapsulado / carcasa | A granel |
| Tipo de montaje | Montaje pasante |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial