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TRS16N65FB
TRS16N65FB · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Número de parte:
- TRS16N65FB
- Corriente rectificada media (Io) / diodo:
- 8A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión:
- 175°C (Max)
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Diodos Rectificadores Matrices de diodos |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor And Storage |
| Referencia base | TRS16N65 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente rectificada media (Io) / diodo | 8A (DC) |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | 175°C (Max) |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 1.7 V @ 8 A |
| Configuración de diodos | 1 par de cátodo común |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 Ns |
| Tecnología | Schottky de SiC (carburo de silicio) |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 650 V |
| Velocidad | Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io) |
| Corriente de fuga inversa a Vr | 90 µA @ 650 V |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Encapsulado del fabricante | –-247 |
| Encapsulado / carcasa | Tubo |
| Tipo de montaje | Montaje pasante |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
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Componentes seleccionados
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial