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SS275TI12205
SS275TI12205 · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- IXYS-RF
- Número de parte:
- SS275TI12205
- Corriente rectificada media (Io) / diodo:
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión:
- -55°C ~ 175°C
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Diodos Rectificadores Matrices de diodos |
| Fabricante | IXYS-RF |
| Referencia base | SS275 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente rectificada media (Io) / diodo | 5A |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | -55°C ~ 175°C |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 1.8 V @ 5 A |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 Ns |
| Tecnología | Schottky de SiC (carburo de silicio) |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 1200 V |
| Velocidad | Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io) |
| Corriente de fuga inversa a Vr | 200 µA @ 1200 V |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Encapsulado del fabricante | DE275 |
| Encapsulado / carcasa | Tubo |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 1
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| Diode Configuration | 3 Independent |
|---|
Descripción
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Componentes seleccionados
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial