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RB886YT2R
RB886YT2R · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Número de parte:
- RB886YT2R
- Capacitancia a Vr, F:
- 0.8pF @ 1V, 1MHz
- Temperatura de funcionamiento:
- 125°C (TJ)
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Diodos Diodos de RF |
| Fabricante | Rohm Semiconductor |
| Referencia base | RB886Y |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Capacitancia a Vr, F | 0.8pF @ 1V, 1MHz |
| Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Encapsulado del fabricante | EMD4 |
| Encapsulado / carcasa | Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 3
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Current - Max | 10 MA |
|---|---|
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 5V |
| Diode Type | Schottky - Single |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
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Componentes seleccionados
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial