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G3S12004B
G3S12004B · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- Global Power Technology-GPT
- Número de parte:
- G3S12004B
- Corriente rectificada media (Io) / diodo:
- 8.5A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión:
- -55°C ~ 175°C
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Diodos Rectificadores Matrices de diodos |
| Fabricante | Global Power Technology-GPT |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente rectificada media (Io) / diodo | 8.5A (DC) |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | -55°C ~ 175°C |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 1.7 V @ 2 A |
| Configuración de diodos | 1 par de cátodo común |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 Ns |
| Tecnología | Schottky de SiC (carburo de silicio) |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 1200 V |
| Velocidad | Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io) |
| Corriente de fuga inversa a Vr | 50 µA @ 1200 V |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Encapsulado del fabricante | –-247AB |
| Encapsulado / carcasa | Cinta cortada (CT) Cinta y caja (TB) |
| Tipo de montaje | Montaje pasante |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial