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ESH3B
ESH3B · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Número de parte:
- ESH3B
- Corriente de fuga inversa a Vr:
- 5 µA @ 100 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión:
- -55°C ~ 175°C
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Semiconductores discretos · diodos rectificadores simples |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Referencia base | ESH3 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente de fuga inversa a Vr | 5 µA @ 100 V |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | -55°C ~ 175°C |
| Capacitancia a Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 20 Ns |
| Tecnología | Estándar |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 100 V |
| Corriente rectificada media (Io) | 3A |
| Velocidad | Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Encapsulado del fabricante | DO-214AB (SMC) |
| Encapsulado / carcasa | Cinta y carrete (TR) |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial