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FFSD0865A
FFSD0865A · Componentes electrónicos
Información del producto
- Fabricante:
- Onsemi
- Número de parte:
- FFSD0865A
- Corriente de fuga inversa a Vr:
- 200 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If:
- 1.75 V @ 8 A
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Semiconductores discretos · diodos rectificadores simples |
| Fabricante | Onsemi |
| Referencia base | FFSD0865 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Corriente de fuga inversa a Vr | 200 µA @ 650 V |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 1.75 V @ 8 A |
| Capacitancia a Vr, F | 463pF @ 1V, 100kHz |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 Ns |
| Tecnología | Schottky de SiC (carburo de silicio) |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | -55°C ~ 175°C |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 650 V |
| Corriente rectificada media (Io) | 15A |
| Velocidad | Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Encapsulado del fabricante | D-PAK (–-252) |
| Encapsulado / carcasa | Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) |
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Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Descripción
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XCKU040-2FFVA1156I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- XILINX
- Encapsulado / carcasa
- FCBGA-1156
- Temperatura de funcionamiento
- Industrial