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N76E616AL48
N76E616AL48 · Micron / ISSI / Samsung · Circuitos integrados
Información del producto
- Número de parte:
- N76E616AL48
- Tipo:
- Circuito integrado
- Temperatura de funcionamiento:
- -40°C ~ 105°C (TA)
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo | Circuito integrado |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 18
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Description | N76E616AL48 |
|---|---|
| Voltage - Breakdown | Please Ask |
| Frequency - Switching | Please Ask |
| Power (Watts) | Please Ask |
| Voltage - Supply (Min) | Please Ask |
| Voltage - Supply (Max) | Please Ask |
| Voltage - Output | Please Ask |
| Current - Output / Channel | Please Ask |
| Frequency | Please Ask |
| Applications | Please Ask |
| FET Type | Please Ask |
| Current - Output (Max) | Please Ask |
| Current - Supply | Please Ask |
| Voltage - Supply | Please Ask |
| Frequency - Max | Please Ask |
| Power - Max | Please Ask |
| Tolerance | Please Ask |
| Function | Please Ask |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
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Componentes seleccionados
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- Tipo
- Circuito integrado