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· Micron / ISSI / Samsung · Circuitos integrados
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Información del producto
- Tipo:
- IC
- Temperatura de funcionamiento:
- -40°C ~ 85°C (TA)
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Descripción | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo | IC |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tensión de alimentación | 2.7V ~ 3.6V |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 2
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Cetificate | ISO9001, ISO14001, Rohs |
|---|---|
| Current - Output High, Low | 6mA, 6mA |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
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Componentes seleccionados
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MT41K256M16TW-107 · Micron / ISSI / Samsung · Circuitos integrados
- Resolución del ADC
- 10 Bit
- Frecuencia máxima de reloj
- 16 MHz
MT29F2G08ABAEAH4 · Micron / ISSI / Samsung · Circuitos integrados
- Resolución del ADC
- 10 Bit
- Frecuencia máxima de reloj
- 16 MHz
LM2596HVS-12TR · Micron / ISSI / Samsung · Circuitos integrados
- Tipo
- Circuito integrado