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MC80F0708GP
MC80F0708GP · Micron / ISSI / Samsung · Circuitos integrados
Información del producto
- Número de parte:
- MC80F0708GP
- Tensión de ruptura:
- V
- Frecuencia de conmutación:
- Hz
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tensión de ruptura | V |
| Frecuencia de conmutación | Hz |
| Potencia (W) | W |
| Temperatura de funcionamiento | C |
| Tensión de alimentación mínima | V |
| Tensión de alimentación máxima | V |
| Tensión de salida | V |
| Corriente de salida por canal | A |
| Frecuencia | Hz |
| Aplicaciones | Circuito integrado |
| Potencia de salida | 20.5dBm, 20.5dBm |
| Modulación | CCK, DSSS, OFDM |
Memoria e interfaces
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Interfaces serie | GPIO, IC, IS, PWM, SDIO, SPI, UART |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 8
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Lead Free Status | RoHS Compliant |
|---|---|
| Packing | Stand Packing |
| Name | Ic Mc80f0708g P |
| Type | Integrated Circuit, Drive IC |
| Description | Ic Chip |
| Memory Size | 448kB ROM, 536kB SRAM |
| Protocol | 802.11b/g/n |
| Utilized IC / Part | ESP32-D0WD, ESP32-D0WD |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
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Componentes seleccionados
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- Tipo
- Circuito integrado