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MJ15022
MJ15022 · Micron / ISSI / Samsung · Circuitos integrados
Información del producto
- Número de parte:
- MJ15022
- Temperatura de funcionamiento:
- C
- Aplicación:
- Uso general
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Descripción | MJ15022 MJ15023 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | C |
| Aplicación | Uso general |
| Potencia máxima | W |
| Potencia de salida | W |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | MJ15022 MJ15023, Montaje pasante |
| Encapsulado / carcasa | –-3 |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 28
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Type | Transistor, Other, MOSFET |
|---|---|
| Package Type | Throught Hole |
| Brand | Transistor |
| Current - Collector (Ic) (Max) | A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | N |
| Current - Collector Cutoff (Max) | N |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | N |
| Frequency - Transition | N |
| Resistor - Base (R1) | R |
| Resistor - Emitter Base (R2) | R |
| FET Type | N |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | N |
| Vgs(th) (Max) @ Id | N |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | N |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | N |
| Frequency | N |
| Current Rating (Amps) | A |
| Noise Figure | N |
| Voltage - Rated | V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | V |
| Vgs (Max) | V |
| IGBT Type | N |
| Applications | Ic Chips |
| Lead Free Status | RoHS Compliant |
| Packing | Standard Package |
Descripción
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Componentes seleccionados
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- Frecuencia máxima de reloj
- 16 MHz
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- Tipo
- Circuito integrado