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1N4448
1N4448 · ROHM / UTC · Circuitos integrados
Información del producto
- Número de parte:
- 1N4448
- Tipo:
- IC CHIP
- Corriente rectificada media (Io):
- 200mA
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo | IC CHIP |
| Corriente rectificada media (Io) | 200mA |
| Tensión directa máxima (Vf) a If | 1V @ 100mA |
| Corriente de fuga inversa a Vr | 5uA @ 75V |
| Tensión inversa CC máxima (Vr) | 8327382 |
| Velocidad | Pequeña señal =< 200mA (Io), cualquier velocidad |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 4ns |
| Capacitancia a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Rango de temperatura de funcionamiento | - 55 C – + 150 C |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | 153821123 |
| Encapsulado / carcasa | Montaje superficial |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 6
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Application | Diodes -General Purpose, Power, Switching |
|---|---|
| Package / Case | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Product | Switching Diodes |
| Recovery Time | 4 Ns |
| Forward Voltage Drop | 1.2 V |
| Maximum Power Dissipation | 350 MW |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
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