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IRF3710PBF
IRF3710PBF · ROHM / UTC · Circuitos integrados
Información del producto
- Número de parte:
- IRF3710PBF
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Referencia cruzada:
- NEW
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Referencia cruzada | NEW |
| Potencia máxima | 40W |
| Tipo de FET | Canal N |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje pasante |
| Encapsulado / carcasa | –-220-3 |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 17
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Type | Ic Chip, Field-Effect Transistor, IGBT Transistor |
|---|---|
| Package Type | Throught Hole |
| Application | Irf Transistor |
| Brand | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 1.5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 1A, 2V |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 57A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 28A, 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3130pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Transistor Type | Mrf150 Rf Power Transistor |
Descripción
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