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Productos

irfb4110PBF

irfb4110PBF · ROHM / UTC · Circuitos integrados

Información del producto

Número de parte:
irfb4110PBF
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Referencia cruzada:
NEW

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Especificaciones técnicas

Mismo modelo · parámetros coherentes

Características eléctricas

ParámetroValor
Temperatura de funcionamiento-40°C ~ 150°C (TJ)
Referencia cruzadaNEW
MarcaTRANS NPN 400V 1.5A SOT-32
Potencia máxima40W

Encapsulado y mecánica

ParámetroValor
Tipo de montajeMontaje pasante
Encapsulado / carcasa–-225AA, –-126-3

Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.

Campos de origen · inglés · 9

Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.

TypeIC CHIP, Field-Effect Transistor, IGBT Transistor
Package TypeThrought Hole
ApplicationIrf Transistor
Current - Collector (Ic) (Max)1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce5 @ 1A, 2V
Transistor TypeMrf150 Rf Power Transistor

Descripción

La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.

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