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IRFB4110PBF
IRFB4110PBF · ROHM / UTC · Circuitos integrados
Información del producto
- Número de parte:
- IRFB4110PBF
- Temperatura de funcionamiento:
- -, -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET:
- -, Canal N
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Descripción | Transistores |
| Número de parte | IRFB4110PBF |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -, -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de FET | -, Canal N |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | -, Montaje superficial, Montaje pasante |
| Encapsulado / carcasa | -, –-252-3 |
| Encapsulado del fabricante | –-220AB |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 12
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Type | Pentode Transistor, Ic Chips |
|---|---|
| Package Type | Throught Hole |
| Application | Electronic |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | -, 700V, 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | -, 8.5A (Tc), 120A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | -, 600mOhm @ 1.8A, 10V, 4.5 MOhm @ 75A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | -, 4V @ 250uA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | -, 10.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | -, 364pF @ 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Transistor Type | Mrf150 Rf Power Transistor |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Descripción
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