HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

Productos

SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3 · Vishay · Circuitos integrados

Información del producto

Fabricante:
VI-SHAY
Número de parte:
SI2301CDS-T1-GE3

Solicitar cotización

El precio, la disponibilidad y la entrega se confirman en la cotización.

Solicitar cotización

Especificaciones técnicas

Mismo modelo · parámetros coherentes

Especificaciones disponibles bajo consulta.

Identificación del componente

ParámetroValor
Número de parteSI2301CDS-T1-GE3

Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.

Campos de origen · inglés · 1

Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.

DescriptionSI2301CDS-T1-GE3

Descripción

La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.

Ver original en inglés

MT41K256M16TW-107 IT:PDigi-Key Part NumberSI2301CDS-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR)SI2301CDS-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT)SI2301CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®ManufacturerVishay SiliconixManufacturer Product NumberSI2301CDS-T1-GE3DescriptionMOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3Manufacturer Standard Lead Time99 WeeksDetailed DescriptionP-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Manufacturer:VishayProduct Category:MOSFETRoHS: DetailsTechnology:SiMounting Style:SMD/SMTPackage / Case:SOT-23-3Transistor Polarity:P-ChannelNumber of Channels:1 ChannelVds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 VId - Continuous Drain Current:3.1 ARds On - Drain-Source Resistance:112 mOhmsVgs - Gate-Source Voltage:- 8 V, + 8 VVgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 VQg - Gate Charge:3.3 nCMinimum Operating Temperature:- 55 CMaximum Operating Temperature:+ 150 CPd - Power Dissipation:1.6 WChannel Mode:EnhancementTradename:TrenchFETSeries:SI2Packaging:ReelPackaging:Cut TapePackaging:MouseReelBrand:Vishay SemiconductorsConfiguration:SingleFall Time:10 nsProduct Type:MOSFETRise Time:35 nsFactory Pack Quantity:3000Subcategory:MOSFETsTransistor Type:1 P-ChannelTypical Turn-Off Delay Time:30 nsTypical Turn-On Delay Time:11 nsPart # Aliases:SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3Unit Weight:0.000282 oz

Solicitar cotización

Usamos tus datos de contacto para responder a tu consulta. El precio, la disponibilidad y la entrega se confirman en la cotización.

Componentes seleccionados

Todos los productos
SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

LIANYIXIN RFQ

Cuéntanos qué necesitas.

Comparte la referencia, cantidad y requisitos con LIANYIXIN.

Usamos tus datos de contacto para responder a tu consulta. El precio, la disponibilidad y la entrega se confirman en la cotización.

Habla con LIANYIXIN

Consulta sobre un componente o déjanos tus requisitos. Añade tu email para que podamos responder si sales de esta página.

¿Cómo podemos ayudarte con tus componentes?