V12PM12HM3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 120 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 830 MV @ 12 A
Productos
MBRD6100CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 850 MV @ 3 A
SE100PWTG-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.14 V @ 10 A
BAS40-06HYFHT116 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 120mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
V20KM120HM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 120 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 870 MV @ 20 A
BAV199S-QZ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
V2PM63L-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 640 MV @ 2 A
PMEG3020CPASX · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 2A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
RB496KATR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 1A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
V20KM100HM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 250 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 760 MV @ 20 A
V20K60-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 700 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 610 MV @ 20 A
BAT54CXV3T1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
V2PM63LHM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 640 MV @ 2 A
RB717UMTL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
NRTS10100PFST3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 780 MV @ 10 A
BAT54STQ-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
V10P8HM3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 800 µA @ 80 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 680 MV @ 10 A
RB715FM-40FHT106 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C