RB215T-60NZC9 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
Productos
V6PWM45-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 580 MV @ 6 A
RB238T-40NZC9 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 40A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
SS16L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 1 A
V30120C-E3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
RB168VWM100TFTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 300 NA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 840 MV @ 1 A
RB228T100NZC9 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
RB168VWM-30TFTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 600 NA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 690 MV @ 1 A
FCH20E10 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- KYOCERA AVX
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
PD3S220LQ-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 160 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 490 MV @ 2 A
VB30100C-E3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
CMH07(TE12L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 980 MV @ 2 A
V30120C-M3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
GP10W-E3/73 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1500 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
MBRF1560CT-E3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 7.5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
SL23-E3/5BT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 440 MV @ 2 A
RB215T-40NZC9 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
RB061QS-20T18R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 10 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 470 MV @ 2 A