MUR260RLG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.35 V @ 2 A
Productos
BAS16HTW-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
MBR120ESFT1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 530 MV @ 1 A
MMBD1404 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
MURA130T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 300 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
BAS16V-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
MURS110T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 1 A
M1MA142WKT1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
MBR120ESFT3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 530 MV @ 1 A
MMBD2004S-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
MBRS130T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 1 A
PMBD7100 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
NRVUS110VT3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 1 A
1SS392 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
MURS210T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 940 MV @ 2 A
GSXD160A010S1-D3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SemiQ
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 160A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
MBRA160T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 510 MV @ 1 A
HN1D03FU · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 80mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)