MBRAD15200DH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
Productos
BAV21 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
PUAD8DCH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
RB160M-40TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 30 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 510 MV @ 1 A
NSVMBD770DW1T1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1N5393 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.4 V @ 1.5 A
V20PWM63C-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 175°C
1N4448TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
PUAD8BCH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
BAS20 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
MBRAD10200DH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
V3NM63-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 630 MV @ 3 A
SBT80-06JS-S · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
RS1DHE3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
MBRAD15150DH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAW75-TAP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 30 MA
PUAD10DC · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
BAT54-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA