FERD40M45CG-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 175°C (Max)
Productos
IMBD4148-E3-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2.5 µA @ 70 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 10 MA
SBAV99WT1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
BAV170235 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Encapsulado / carcasa
- A granel
NTE637 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 100 MA
BAV99WT1H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
BAS40TS_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 40 MA
NRVBA130LT3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
SS3P4LHM3_A/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 250 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 470 MV @ 3 A
STPR2040 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SB100-05J · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
MBRB20150CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
TBAS16 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tecnología
- Estándar
- Tensión inversa CC máxima (Vr)
- 80 V
PKMBR845RL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
NRVBS3200NT3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 840 MV @ 3 A
VS-MBRB4045CTL-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
MMBD914-E3-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 10 MA
BAT64-04WE6327 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 120mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C