BAS70-05 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
Productos
MR10120E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
BAS40WT-04-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SD101AW-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 NA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 15 MA
CDST-99-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Comchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
B140Q-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 1 A
BAS21S · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
VS-20ETF06FP-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.67 V @ 60 A
BAT54AWQ-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 125°C
1N4534UR/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Encapsulado / carcasa
- Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT)
BAS70-05-QR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
B130-E3/5AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 520 MV @ 1 A
BAS70-04 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
NTE5855 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 12 MA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 19 A
BAS70-05Q-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
V1PM15HM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.21 V @ 1 A
BAW156Q-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 160mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
DSC08C065 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 8 A