JANTX1N5806US · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 1 A
Productos
BAS70SDW-AU_R1_000A1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
MSS1P5-M3/89A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 680 MV @ 1 A
CDST-7000-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Comchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
1N3070UR-1/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 175 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
BAS40-05 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 125°C
BAS40W-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 NA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 40 MA
RB706F-40 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C
VS-1N1184 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 MA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 110 A
BAV23C-G3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
BAW156Q-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 160mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
RB558VAM150TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 500 MA
BAS21C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
NTE5847 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 3 A
BAS21AW-QX · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
BAS45A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 NA @ 125 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
BAV170E6433HTMA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
CDLL5819/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 490 MV @ 1 A