RB521CS-30GT2RA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 10 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 350 MV @ 10 MA
Productos
VS-25CTQ035S-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
S1M-T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
VS-MBRB4045CT-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
V2PM12LHM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 120 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 620 MV @ 1 A
VS-25CTQ045S-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SBR20A45CTFP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
V2F6-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 480 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 2 A
UG06B · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 600 MA
MBRS30H45CTH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
S1GT-04LC-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
MBRS2560CTH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 25A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
S3J · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 3 A
VS-MBRB2545CTR-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
SS110LH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 1 A
FEPF16JT-E3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MPG06K-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
MBRBL20U100CT-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C