TSF10H45C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
Productos
S4PD-M3/86A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 4 A
V40D120C-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
PU3DBH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 930 MV @ 3 A
SF3005PTH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
B3100BE-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 300 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 790 MV @ 3 A
VS-MBR3035WT-N3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
SS24-M3/5BT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 2 A
TSF20H150C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
GI510-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 9.4 A
DSP8-12S-TUB · Componentes electrónicos
- Fabricante
- IXYS
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 11A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
V7N103-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 330 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 660 MV @ 6 A
MBR20200CTE3/TU · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
SR55F_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 5 A
RB215T-90 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
1N4933GP-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 1 A
MBR40100PTH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 40A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
CMR1-10 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A